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STD20NF06T4-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

STD20NF06T4-HXY product

STD20NF06T4-HXY

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal60VDPAK

Der STD20NF06T4 ist ein N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit 60V und 20A, der Trench-Technologie nutzt und im TO-252-2L (DPAK) Gehäuse geliefert wird.

Ideal für

  • Batterieschutzschaltungen
  • Lastschalter
  • USV-Systeme

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit extrem hohen Zuverlässigkeitsanforderungen (Lebenserhaltungssysteme, Flugzeugsteuerung).

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
60 V
ID
20 A
RDS(on)
32 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungAllgemeines Schalten

Datenblatt

b9cc4367b618ad12c990670d623dfcf4_2403261737_HXY-MOSFET-STD20NF06T4-HXY_C22366765.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für STD20NF06T4-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET für Schaltanwendungen, der sich durch niedrige Gate-Ladung und niedrigen RDS(on) auszeichnet.