ProjektePreiseInsights

STD25N10F7-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

STD25N10F7-HXY product

STD25N10F7-HXY

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal100VTO-252

Der STD25N10F7 ist ein 100V, 30A N-Kanal-MOSFET im TO-252-2L-Gehäuse, der für Batterieschutz und Schaltanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Batterieschutzschaltungen
  • Lastschalter
  • USV-Systeme

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die einen extrem niedrigen RDS(on) unter 10mΩ erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr
  • Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
100 V
ID
30 A
RDS(on)
48 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

Datenblatt

6ddecd7b99ef55a388407b43e8212a9f_2403261740_HXY-MOSFET-STD25N10F7-HXY_C22367072.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für STD25N10F7-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit Trench-Technologie, der für niedrige Gate-Ladung und geringen Durchlasswiderstand ausgelegt ist.