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STD6NF10-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

STD6NF10-HXY product

STD6NF10-HXY

FETs

MOSFETN-Kanal100VDPAK

Der STD6NF10 ist ein 100V N-Kanal-MOSFET im DPAK-Gehäuse, der für effizientes Schalten und DC/DC-Wandler optimiert ist.

Ideal für

  • Leistungsschalter
  • DC/DC-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit extrem hohen Anforderungen an die Zuverlässigkeit (z.B. lebenserhaltende Systeme).

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
100 V
ID
15 A
RDS(ON)
112 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

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800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für STD6NF10-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der STD6NF10 ist ein N-Kanal-MOSFET von HXY MOSFET, der Trench-Technologie für niedrigen Einschaltwiderstand und geringe Gate-Ladung nutzt.