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STDRIVEG600TR KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

STDRIVEG600TR product

STDRIVEG600TR

Full Half-Bridge Drivers

GatetreiberHalbbrückeGaNSTMicroelectronics

Der STDRIVEG600TR ist ein leistungsstarker Halbbrücken-Gatetreiber, der speziell für GaN-FETs und N-Kanal-MOSFETs in Hochspannungs-Leistungswandlern optimiert wurde.

Ideal für

  • GaN-basierte Leistungswandler
  • Hochfrequenz-Schaltanwendungen

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen, bei denen ein einfacherer Treiber ausreicht

Vor der Verwendung prüfen

  • Dimensionierung des Bootstrap-Kondensators
  • Layout der Gate-Schleife

Wichtige Specs

High-Side-Spannung
600 V
Signallaufzeit
45 ns
Spitzenstrom (Source/Sink)
5.5 A / 6 A

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungswandlungIndustrieantriebe

Datenblatt

224d37e6f3301e26090ab68818de7f8b_stdriveg600.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für STDRIVEG600TR laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen Single-Chip-Halbbrücken-Gatetreiber für Enhancement-Mode-GaN-FETs oder N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, der für Busspannungen bis zu 500V geeignet ist.