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STGAP2SICDTR KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

STGAP2SICDTR product

STGAP2SICDTR

Isolators - Gate Drivers

Gate-TreiberSiC-MOSFETIsoliert

Der STGAP2SiCD ist ein leistungsstarker, galvanisch getrennter Dual-Gate-Treiber für SiC-MOSFETs in anspruchsvollen Leistungselektronik-Anwendungen.

Ideal für

  • SiC-MOSFET-Ansteuerung
  • Industrielle Motorantriebe
  • Leistungswechselrichter

Vermeiden, wenn

  • Kostensensitive Anwendungen ohne Isolationsbedarf

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannung
  • Layout-Vorgaben für Isolation

Wichtige Specs

Ausgangsstrom
4 A
Isolation
6 kV
Verzögerungszeit
75 ns

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Industrielle MotorantriebeWechselrichter

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für STGAP2SICDTR laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen galvanisch getrennten Dual-Gate-Treiber, der speziell für SiC-MOSFETs optimiert wurde und eine Stromtreiberfähigkeit von 4 A bietet.