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STGD4M65DF2 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

STGD4M65DF2 product

STGD4M65DF2

Transistors - IGBTs - Single

IGBT650VDPAKSTMicroelectronics

Der STGD4M65DF2 ist ein 650V, 4A Trench-Gate-Field-Stop-IGBT von STMicroelectronics, optimiert für verlustarme Anwendungen wie Motorsteuerung, USV und PFC.

Ideal für

  • Motorsteuerung
  • USV
  • PFC

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die einen kontinuierlichen Strom von mehr als 8A bei 25°C erfordern.

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Wärmeableitung
  • Pegel der Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

V(BR)CES
650 V
IC (25°C)
8 A
VCE(sat) (typ)
1,6 V

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

MotorsteuerungUSVPFC

Datenblatt

STGD4M65DF2-STMicroelectronics-datasheet-65695200.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für STGD4M65DF2 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen Trench-Gate-Field-Stop-IGBT der M-Serie, der für hohe Effizienz und verlustarme Leistung in Wechselrichtersystemen entwickelt wurde.