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STGD6M65DF2 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

STGD6M65DF2 product

STGD6M65DF2

Transistors - IGBTs - Single

IGBT650VDPAKM-Serie

Der STGD6M65DF2 ist ein 650V, 6A M-Serie Trench-Gate-Field-Stop-IGBT im DPAK-Gehäuse, optimiert für hocheffiziente Wechselrichteranwendungen.

Ideal für

  • Motorsteuerung
  • USV
  • PFC

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die höhere Strom- oder Spannungswerte erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Wärmeableitung
  • Gate-Treiberspannungspegel

Wichtige Specs

Vces
650 V
Ic
6 A (bei 100°C)
Vce(sat)
1,55 V (typ)

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

MotorsteuerungUSVPFC

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für STGD6M65DF2 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 650V, 6A Trench-Gate-Field-Stop-IGBT der M-Serie, der für verlustarme Leistung in Motorsteuerungs-, USV- und PFC-Anwendungen entwickelt wurde.