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STGW40H65DFB KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

STGW40H65DFB product

STGW40H65DFB

Transistors - IGBTs - Single

IGBT650V40ATrench GateSTMicroelectronics

Der STGW40H65DFB ist ein 650V, 40A High-Speed-IGBT von STMicroelectronics, optimiert für hocheffiziente Leistungswandlungsanwendungen.

Ideal für

  • Photovoltaik-Wechselrichter
  • Hochfrequenz-Leistungswandlung

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen, bei denen spezialisierte MOSFETs effizienter sein könnten

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Treiber-Spannungspegel
  • Thermische Anforderungen

Wichtige Specs

VCES
650 V
IC @ 100°C
40 A
VCE(sat) (typ)
1.6 V

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungswandlungIndustrie

Datenblatt

STGW40H65DFB-STMicroelectronics-datasheet-62341221.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für STGW40H65DFB laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 650V, 40A Trench-Gate-Field-Stop-IGBT mit integrierter, schnell schaltender Antiparallel-Diode für Hochgeschwindigkeitsanwendungen.