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STGW60H65DFB-4 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

STGW60H65DFB-4 product

STGW60H65DFB-4

Transistors - IGBTs - Single

IGBT650VHigh SpeedTrench Gate

Der STGW60H65DFB-4 ist ein 650V, 60A High-Speed-IGBT mit Trench-Gate-Field-Stop-Struktur und einem Kelvin-Pin für verbesserte Schaltleistung.

Ideal für

  • Photovoltaik-Wechselrichter
  • Hochfrequenz-Leistungswandler

Vermeiden, wenn

  • Niederfrequenz- oder Niedrigleistungsanwendungen, bei denen Standard-IGBTs ausreichen.

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Treiber-Anforderungen und thermische Belastbarkeit.

Wichtige Specs

Kollektor-Emitter-Spannung
650 V
Kollektorstrom
60 A
Max. Sperrschichttemperatur
175 °C

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungswandlungIndustrielle Wechselrichter

Datenblatt

STGW60H65DFB-4-STMicroelectronics-datasheet-93404516.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für STGW60H65DFB-4 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen IGBT der HB-Serie für hohe Geschwindigkeiten, ausgelegt für 650 V und 60 A, optimiert für Hochfrequenz-Leistungswandler.