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STGWA40H65DFB KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

STGWA40H65DFB product

STGWA40H65DFB

Transistors - IGBTs - Single

IGBT650VHigh SpeedTrench Gate

Der STGWA40H65DFB ist ein 650V, 40A High-Speed-IGBT, optimiert für hocheffiziente Leistungswandlung mit geringen Schaltverlusten und integrierter Diode.

Ideal für

  • Photovoltaik-Wechselrichter
  • Hochfrequenz-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, bei denen Schaltgeschwindigkeit keine Rolle spielt

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr
  • Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

Kollektor-Emitter-Spannung
650 V
Kollektorstrom
40 A (bei 100°C)
Max. Sperrschichttemperatur
175 °C

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungselektronikIndustrie

Datenblatt

STGWA40H65DFB-STMicroelectronics-datasheet-62341221.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für STGWA40H65DFB laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein 650V, 40A Trench-Gate-Field-Stop-IGBT aus der HB-Serie von STMicroelectronics für effiziente Leistungselektronik.