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STGWT30HP65FB KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

STGWT30HP65FB product

STGWT30HP65FB

Transistors - IGBTs - Single

IGBT650VTrench GateHigh Speed

Der STGWT30HP65FB ist ein 650V, 30A High-Speed-IGBT aus der HB-Serie von STMicroelectronics, optimiert für hocheffiziente Leistungswandler.

Ideal für

  • Leistungsfaktorkorrektur (PFC)
  • Frequenzumrichter

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die extrem niedrige Betriebsspannungen oder nicht standardisierte Gehäuseformen erfordern.

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmewiderstand Sperrschicht-Gehäuse (0,58 °C/W) und Gate-Ansteuerspannungspegel.

Wichtige Specs

VCES
650 V
IC (100°C)
30 A
VCE(sat)
1,6 V

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Leistungsfaktorkorrektur

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für STGWT30HP65FB laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen Trench-Gate-Field-Stop-IGBT für Hochgeschwindigkeits-Schaltanwendungen mit integrierter, schnell erholender Antiparallel-Diode.