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STGYA50H120DF2 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

STGYA50H120DF2 product

STGYA50H120DF2

Transistors - IGBTs - Single

IGBT1200VTrench-GateHigh-Speed

Der STGYA50H120DF2 ist ein 1200V, 50A High-Speed Trench-Gate-Field-Stop-IGBT für effiziente Leistungswandlung.

Ideal für

  • Hochfrequenz-Leistungswandlung
  • Industrielle Netzteile

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen, bei denen effizientere Bauteile existieren

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannung
  • Thermische Belastbarkeit

Wichtige Specs

Vces
1200 V
Ic bei 100°C
50 A
Vce(sat) (typ)
2.1 V

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungswandlungIndustrie

Datenblatt

poYBAGN1iOmARYyaACIAj_XU9bQ142.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für STGYA50H120DF2 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein High-Speed-IGBT der H-Serie mit 1200V und 50A, der Trench-Gate-Field-Stop-Technologie für effizientes Schalten nutzt.