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STP110N8F6 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

STP110N8F6 product

STP110N8F6

MOSFETs - Single

Leistungs-MOSFETN-Kanal80V110A

Der STP110N8F6 ist ein leistungsstarker 80V, 110A N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit STripFET F6-Graben-Technologie, optimiert für verlustarmes Schalten.

Ideal für

  • Hochstromschaltung
  • Netzteile
  • Motorsteuerung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit geringer Leistung und begrenztem Platz, bei denen TO-220 zu groß ist

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Gate-Treiber-Fähigkeit

Wichtige Specs

VDS
80 V
ID
110 A
RDS(on) max
0,0065 Ω

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungsschaltungMotorsteuerung

Datenblatt

STP110N8F6-STMicroelectronics-datasheet-42663430.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für STP110N8F6 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics, der für hocheffiziente Schaltanwendungen mittels Trench-Gate-Technologie entwickelt wurde.