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STP26NM60N KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

STP26NM60N product

STP26NM60N

MOSFETs - Single

MOSFET600VLeistungN-Kanal

Der STP26NM60N ist ein 600V, 20A N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit MDmesh II-Technologie, optimiert für hocheffiziente Schaltnetzteile und Konverter.

Ideal für

  • Hocheffiziente Stromwandler
  • Schaltnetzteile

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit extrem niedrigen Spannungen oder Schaltgeschwindigkeiten, die die Gate-Ladungskapazität übersteigen

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmewiderstand Junction-Case
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
600 V
ID
20 A
RDS(on)
0,165 Ω

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromwandlungIndustrielle Schaltanwendungen

Datenblatt

STP26NM60N-STMicroelectronics-datasheet-68304289.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für STP26NM60N laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics mit 600V Durchbruchspannung und 20A Dauerstrom.