ProjektePreiseInsights

STP607D-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

STP607D-HXY product

STP607D-HXY

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFET60VTO-252

Der STP607D ist ein P-Kanal-MOSFET mit -60V und -10A im TO-252-2L-Gehäuse, der für effizientes Schalten und Batterieschutz optimiert ist.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Schaltkreise

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-Polarität erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr

Wichtige Specs

VDS
-60 V
ID
-10 A
RDS(on)
< 140 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

BatterieschutzMotorsteuerung

Datenblatt

14f0d5a2972ff7b23468837afb0021fa_2404231718_HXY-MOSFET-STP607D-HXY_C22366775.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für STP607D-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der Trench-Technologie nutzt, um einen niedrigen RDS(ON) und eine geringe Gate-Ladung zu erreichen.