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STP8N120K5 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

STP8N120K5 product

STP8N120K5

MOSFETs - Single

MOSFET1200VLeistungN-Kanal

Der STP8N120K5 ist ein 1200V, 6A N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit MDmesh K5-Technologie, der für hocheffiziente Schaltanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Hochspannungs-Schaltnetzteile
  • Industrielle Stromrichter

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen, bei denen Bauteile mit niedrigerem Rds(on) effizienter sind

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr-Anforderungen
  • Kompatibilität der Gate-Ansteuerschaltung

Wichtige Specs

Vds
1200 V
Id
6 A
Rds(on)
2,00 Ω

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

NetzteileIndustrie

Datenblatt

poYBAGHDOo2AbiNEAARIbly9gRk827.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für STP8N120K5 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen Hochspannungs-N-Kanal-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics, der für hocheffiziente Stromwandlung und Schaltanwendungen entwickelt wurde.