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STPSC10065D KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

STPSC10065D product

STPSC10065D

Diodes - Rectifiers - Single

SiC-DiodeSchottky650V10A

Die STPSC10065D ist eine 650 V, 10 A Siliziumkarbid (SiC)-Schottky-Diode, die für hocheffiziente Leistungswandlungsanwendungen entwickelt wurde.

Ideal für

  • PFC-Stufen
  • Hochfrequenz-Netzteile

Vermeiden, wenn

  • Niederfrequenzanwendungen, bei denen Standard-Siliziumdioden ausreichen und kostengünstiger sind

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Maximales Drehmoment für TO-220-Montage

Wichtige Specs

Sperrspannung
650 V
Durchlassstrom
10 A
Max. Sperrschichttemperatur
175 °C
Durchlassspannung
1.30 V (typ)

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

NetzteileIndustrielle Wechselrichter

Datenblatt

STPSC10065D-STMicroelectronics-datasheet-96715859.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für STPSC10065D laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um eine leistungsstarke 650 V, 10 A Power-Schottky-Diode auf Siliziumkarbid-Basis (SiC), die für minimale Schaltverluste optimiert ist.