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STPSC8TH13TI KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

STPSC8TH13TI product

STPSC8TH13TI

Diodes - Rectifiers - Arrays

SiCSchottky650VDual-Diode

Die STPSC8TH13TI ist eine duale 650V, 8A Siliziumkarbid (SiC) Schottky-Diode in Serienschaltung, optimiert für leistungsstarke brückenlose Topologien.

Ideal für

  • Brückenlose Leistungstopologien
  • Hart schaltende Anwendungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die Standard-Siliziumdioden für kostensensible Niederfrequenzdesigns erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Montagedrehmoment des isolierten Gehäuses

Wichtige Specs

Max. Sperrspannung
650 V
Durchschnittlicher Vorwärtsstrom
8 A
Max. Sperrschichttemperatur
175 °C

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Leistungselektronik

Datenblatt

STPSC8TH13TI-STMicroelectronics-datasheet-21407707.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für STPSC8TH13TI laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um eine duale Schottky-Diode in Serienschaltung auf Siliziumkarbid-Basis (SiC), ausgelegt für 650V und 8A pro Diode.