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STR2P3LLH6 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

STR2P3LLH6 product

STR2P3LLH6

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETSOT-23Leistung

Der STR2P3LLH6 ist ein P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der für Niederspannungs-Schaltanwendungen in einem kompakten SOT-23-Gehäuse optimiert ist.

Ideal für

  • Lastschaltung
  • PWM-Steuerung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen über -30V

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannung
  • Wärmeabfuhr

Wichtige Specs

VDS
-30 V
ID
-5.0 A
RDS(ON) @ -10V
50 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungUnterhaltungselektronik

Datenblatt

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800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für STR2P3LLH6 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Leistungs-MOSFET mit Trench-Technologie, der für niedrige Gate-Ladung und geringen Einschaltwiderstand (RDS(ON)) ausgelegt ist.