ProjektePreiseInsights

STS2DNF30L-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

STS2DNF30L-HXY product

STS2DNF30L-HXY

MOSFETs - Arrays

Dualer MOSFETN-Kanal30VSOP-8

Der STS2DNF30L ist ein dualer N-Kanal-MOSFET im SOP-8-Gehäuse, optimiert für 30V-Batterieschutz und Lastschaltanwendungen.

Ideal für

  • Batteriemanagementsysteme
  • Niederspannungs-Lastschaltung

Vermeiden, wenn

  • Hochspannungsanwendungen über 30V

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen bei 6A

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
6 A
RDS(ON)
25 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungUnterhaltungselektronik

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für STS2DNF30L-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der Trench-Technologie nutzt und für effizientes Schalten bei niedrigen Gate-Spannungen ausgelegt ist.