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SUD19P06-60-GE3-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

SUD19P06-60-GE3-HXY product

SUD19P06-60-GE3-HXY

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFET60VDPAK

Der SUD19P06-60-GE3 ist ein P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET im TO-252-2L-Gehäuse, der für effiziente Schaltanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-Polarität erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen

Wichtige Specs

VDS
-60 V
ID
-30 A
RDS(on)
33 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementIndustrie

Datenblatt

66bb5aba359e638d732e4a99f4356bcc_2403261741_HXY-MOSFET-SUD19P06-60-GE3-HXY_C22367144.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SUD19P06-60-GE3-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-MOSFET mit Trench-Technologie, der für niedrigen RDS(on) und geringe Gate-Ladung optimiert ist.