SUD35N10-26P-HXY Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | HXY MOSFET | PartGenie

KI-Zusammenfassung

SUD35N10-26P-HXY product

Der SUD35N10-26P ist ein 100V, 50A N-Kanal-MOSFET im TO-252-2L-Gehäuse, optimiert für Batterieschutz und Schaltanwendungen.

Ideal für

Batterieschutz
Lastschalter
USV

Vermeiden, wenn

Anwendungen, die eine Gate-Ansteuerung unter 4,5V erfordern

Vor der Verwendung prüfen

Anforderungen an die Wärmeableitung

Wichtige Specs

VDS: 100 V
ID: 50 A
RDS(on): 18 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS: Compliant
REACH: -
MSL: -
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

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800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für SUD35N10-26P-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit Trench-Technologie, der für hocheffizientes Schalten entwickelt wurde.