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T2N7002BK,LM KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

T2N7002BK,LM product

T2N7002BK,LM

FETs

N-KanalMOSFET60VSOT-23

Der T2N7002BK ist ein zuverlässiger N-Kanal-MOSFET von Toshiba, der sich hervorragend für Hochgeschwindigkeitsschaltanwendungen in kompakten Designs eignet.

Ideal für

  • Hochgeschwindigkeitsschalten
  • Signalrouting
  • Kleinsignalsteuerung

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen über 400mA oder 320mW Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Schwellenspannung (1,1V-2,1V) für Kompatibilität mit Logikpegeln

Wichtige Specs

Drain-Source-Spannung
60 V
Drain-Strom
400 mA
RDS(on)
1,05 Ohm

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Anwendung

Hochgeschwindigkeitsschalten

Datenblatt

45b109dceff826a22bbf0bd129fb3296_1810271831_TOSHIBA-T2N7002BK-LM_C146372.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für T2N7002BK,LM laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-MOSFET für Hochgeschwindigkeitsschaltungen mit einer Drain-Source-Spannung von 60V und einem Strom von 400mA.