Ein Silizium-NPN-Epitaxial-Bipolartransistor von Toshiba, der hauptsächlich in Niederfrequenz-Verstärkerschaltungen eingesetzt wird.
TBC847B,LM KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD
KI-Zusammenfassung
TBC847B,LM
Bipolar (BJT)
Wichtige Specs
- VCEO
- 50 V
- IC
- 150 mA
- hFE
- 200-450
Compliance & Umwelt
- RoHS
- ROHS3 Compliant
- REACH
- REACH Unaffected
- MSL
- 1 (Unlimited)
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.21.0075
Anwendung
Niederfrequenzverstärker
Datenblatt
CAD-Modelle
ECAD-Modelle für TBC847B,LM laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.
EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Alternative Bauteile
Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.