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TC6320TG-G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

TC6320TG-G product

TC6320TG-G

MOSFETs - Arrays

MOSFET-PaarHochspannungKomplementär

Der TC6320TG-G ist ein komplementäres N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Paar für Hochspannungs-Schaltanwendungen.

Ideal für

  • Hochspannungspulser
  • Piezo-Treiber

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die einen RDS(ON) unter 7 Ohm erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Kompatibilität der Gate-Ansteuerung mit den Zener-Schutzdioden

Wichtige Specs

BVDSS
200 V / -200 V
ID(ON)
2 A / -2 A
RDS(ON)
7 Ω / 8 Ω
Gehäuse
8-lead SOIC

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungselektronikIndustrie

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für TC6320TG-G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um ein Hochspannungs-MOSFET-Paar (N-Kanal und P-Kanal) im 8-poligen SOIC-Gehäuse.