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TF2011M-TAH KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

TF2011M-TAH product

TF2011M-TAH

Amplifiers

Gate-TreiberHalbbrücke200V

Der TF2011M-TAH ist ein schneller Hochspannungs-Halbbrückentreiber für N-Kanal-MOSFETs oder IGBTs bis 200V.

Ideal für

  • Motorsteuerung
  • DC-DC-Wandler
  • Class-D-Verstärker

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit galvanischer Trennung oder Spannungen über 200V.

Vor der Verwendung prüfen

  • Dimensionierung der Bootstrap-Komponenten.

Wichtige Specs

Max. Spannung
200 V
Ausgangsstrom
1,0 A
Versorgungsspannung
10 V - 20 V

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

MotorsteuerungNetzteile

Datenblatt

d98086fef473ca1a6d90e13a9516861e_2306091039_TFSS-TF2011M-TAH_C5372145.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für TF2011M-TAH laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein Hochspannungs-Gate-Treiber-IC für Halbbrückenanwendungen bis 200V.