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TF2190M-TAH KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

TF2190M-TAH product

TF2190M-TAH

Amplifiers

GatetreiberHalbbrücke600V4,5A

Der TF2190M-TAH ist ein schneller Hochspannungs-Halbbrücken-Gatetreiber für N-Kanal-MOSFETs und IGBTs mit 4,5 A Spitzenstrom und 600 V High-Side-Fähigkeit.

Ideal für

  • Motorsteuerung
  • Netzteile
  • Class-D-Verstärker

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine galvanische Trennung erfordern (dies ist ein nicht-isolierter Treiber)

Vor der Verwendung prüfen

  • Bootstrap-Kondensator-Dimensionierung und PCB-Layout

Wichtige Specs

Max. Spannung
600 V
Spitzenstrom
4,5 A
Versorgungsspannung
10 V - 20 V
Temperaturbereich
-40 °C bis +125 °C

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

MotorsteuerungNetzteile

Datenblatt

d20b5ba380644f4442227fb28788d698_2207181730_TFSS-TF2190M-TAH_C2917161.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für TF2190M-TAH laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen Hochspannungs-Gatetreiber-IC, der zwei N-Kanal-MOSFETs oder IGBTs in einer Halbbrückenkonfiguration ansteuern kann.