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TK100E10N1,S1X(S KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

TK100E10N1,S1X(S product

TK100E10N1,S1X(S

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal100VLeistung

Der TK100E10N1 ist ein leistungsstarker N-Kanal-MOSFET von Toshiba, der für Schaltspannungsregler mit niedrigem Einschaltwiderstand optimiert ist.

Ideal für

  • Schaltspannungsregler
  • Hochstrom-Energieverwaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die extrem kleine Bauformen erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • ESD-Schutzmaßnahmen

Wichtige Specs

Vdss
100 V
Id
100 A
Rds(on)
2,8 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

TK100E10N1,S1X(S-Toshiba-datasheet-103777811.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für TK100E10N1,S1X(S laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Silizium-MOSFET (U-MOSVIII-H), der für hocheffiziente Schaltspannungsregler entwickelt wurde.