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TMPA1004S-3R3MN-D KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

TMPA1004S-3R3MN-D product

TMPA1004S-3R3MN-D

Chokes

AbgeschirmtSMDLeistungsinduktivität

Der TMPA1004S-3R3MN-D ist eine abgeschirmte SMD-Leistungsinduktivität von TAI-TECH mit 3,3µH, optimiert für DC/DC-Anwendungen mit 10A Nennstrom.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • FPGA-Stromversorgungen
  • Server-VRM-Module

Vermeiden, wenn

  • Platzkritische Designs unter 10mm Footprint
  • Anwendungen über 125°C Betriebstemperatur

Vor der Verwendung prüfen

  • Überprüfen Sie die Sättigungsstromgrenzen unter Spitzenlast.

Wichtige Specs

Induktivität
3,3 µH
Nennstrom
10 A
Gleichstromwiderstand (DCR)
10,5 mΩ
Gehäuse
11,0 x 10,0 mm

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

Datenblatt

552d957c7ef99f9c816caccc76a6e642_2009171336_TAI-TECH-TMPA1004S-3R3MN-D_C155152.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für TMPA1004S-3R3MN-D laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um eine abgeschirmte SMD-Leistungsinduktivität mit einer Nenninduktivität von 3,3µH, die für hocheffiziente Stromwandler in kompakten Geräten entwickelt wurde.