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TN2106K-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

TN2106K-HXY product

TN2106K-HXY

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET60VSOT-23

Der TN2106K ist ein 60V, 0,3A N-Kanal-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, der für Niederspannungsschalt- und Schutzanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Kleinsignalschaltung

Vermeiden, wenn

  • Hochstromanwendungen (>300mA)
  • Umgebungen mit hoher Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmemanagement
  • Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
60 V
ID
0,3 A
RDS(on)
2 Ω

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungUnterhaltungselektronik

Datenblatt

7804c7bbc8b3914c79985dd42a4940af_2403261741_HXY-MOSFET-TN2106K-HXY_C22367164.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für TN2106K-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Enhancement-Mode-MOSFET, der Trench-Technologie nutzt und für niedrige Gate-Ladung sowie niedrigen RDS(ON) bei 4,5V Gate-Ansteuerung optimiert ist.