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TN2425N8-G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

TN2425N8-G product

TN2425N8-G

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET250VSOT-89

Der TN2425N8-G ist ein 250V N-Kanal-Anreicherungs-DMOS-FET im SOT-89-Gehäuse, optimiert für Anwendungen mit niedriger Schwellenspannung.

Ideal für

  • Logikpegel-Schnittstellen
  • Halbleiterrelais
  • Batteriebetriebene Systeme

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand oder Ströme über 1,5A erfordern.

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung auf der Leiterplatte.

Wichtige Specs

Vdss
250 V
Id
1,5 A
Rds(on)
3,5 Ohm

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungsschaltungAllgemeine Anwendungen

Datenblatt

Microchip-company-71.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für TN2425N8-G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-DMOS-FET mit vertikaler Struktur, der sich durch eine niedrige Schwellenspannung und hohe Eingangsimpedanz auszeichnet.