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TP0610K-T1-GE3 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

TP0610K-T1-GE3 product

TP0610K-T1-GE3

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFET60VSOT-23

Der TP0610K-T1-GE3 ist ein 60V P-Kanal TrenchFET-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, ideal für Schaltanwendungen mit geringer Leistung.

Ideal für

  • Relais-Treiber
  • Magnetspulen-Treiber
  • Batteriebetriebene Systeme

Vermeiden, wenn

  • Hochstromanwendungen über 185 mA

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerungsanforderungen
  • Wärmemanagement

Wichtige Specs

VDS
-60 V
ID
-185 mA
RDS(on)
6 Ohm

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
EAR99
HTSUS
8541210095.0

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrielle Treiber

Datenblatt

7d1f3fcaca2b434de78649d18ecee6f3_1810010329_Vishay-Intertech-TP0610K-T1-GE3_C193222.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für TP0610K-T1-GE3 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal 60 V Leistungs-MOSFET mit TrenchFET-Technologie, der für High-Side-Schaltungen und Treiberanwendungen optimiert ist.