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TP2540N8-G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

TP2540N8-G product

TP2540N8-G

MOSFETs - Single

P-KanalDMOS400V

Der TP2540N8-G ist ein P-Kanal-Anreicherungs-DMOS-FET mit 400V in einem SOT-89-Gehäuse, ideal für Hochspannungsschaltanwendungen.

Ideal für

  • Logikpegel-Schnittstellen
  • Halbleiterrelais
  • Batteriebetriebene Systeme

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Dauerströmen über 125mA

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Anforderungen

Wichtige Specs

Vdss
400 V
Id
125 mA
Rds(on)
25 Ohm

Compliance & Umwelt

RoHS
Yes
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungsschaltungIndustrielle Steuerung

Datenblatt

Microchip-company-71.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für TP2540N8-G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Anreicherungs-DMOS-FET für Hochspannungsanwendungen mit niedriger Schwellenspannung.