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TPDMN26D0UFB4 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

TPDMN26D0UFB4 product

TPDMN26D0UFB4

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal20VDFN1006

Der TPDMN26D0UFB4 ist ein 20V N-Kanal-MOSFET im DFN1006-3L-Gehäuse, der für Niederspannungsschaltanwendungen und Batteriemanagement in tragbaren Geräten entwickelt wurde.

Ideal für

  • Tragbare Elektronik
  • Batteriemanagement
  • Logikpegel-Verschiebung

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen
  • Umgebungen mit hohen Temperaturen

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmemanagement
  • Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
20 V
ID
0,7 A
RDS(on)
250 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementUnterhaltungselektronik

Datenblatt

84113cdc8096fce8acf8eba488ab1ccc.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für TPDMN26D0UFB4 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der für Anwendungen mit niedriger Spannung und geringem Strom optimiert ist und über einen ESD-Schutz verfügt.