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TPH1R403NL-ES KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

TPH1R403NL-ES product

TPH1R403NL-ES

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET30V120A

Der TPH1R403NL-ES ist ein 30V, 120A N-Kanal-Trench-MOSFET im PDFN5*6-8L-Gehäuse, optimiert für effizientes Energiemanagement und DC-DC-Wandler.

Ideal für

  • DC-DC-Wandler
  • Leistungsschalter
  • Energiemanagement in PCs

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine Hochspannungsisolierung oder nicht standardisierte Gehäuse erfordern.

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen für den 120A-Betrieb.

Wichtige Specs

Vdss
30 V
Id
120 A
RDS(on)
1,15 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementDC-DC-Wandlung

Datenblatt

43cda87d6d1f67c32a7c51ce96a41181_2312221754_ElecSuper-TPH1R403NL-ES_C19725091.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für TPH1R403NL-ES laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET für Anwendungen mit hoher Leistungsdichte, der sich durch einen niedrigen RDS(on) und eine geringe Gate-Ladung auszeichnet.