ProjektePreiseInsights

TPH2R608NH,L1Q(M KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

TPH2R608NH,L1Q(M product

TPH2R608NH,L1Q(M

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal75VLeistung

Der TPH2R608NH ist ein leistungsstarker 75V N-Kanal-MOSFET, der für hocheffiziente Stromwandlungsanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • DC-DC-Wandler
  • Schaltspannungsregler

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit geringer Leistung, bei denen niedrigere Stromwerte ausreichen.

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

Vdss
75 V
Id
150 A
Rds(on)
2,1 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Stromversorgung

Datenblatt

27ed556e427aa5f62cb85df50854d762_2306061458_TOSHIBA-TPH2R608NH-L1Q-M_C5379811.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für TPH2R608NH,L1Q(M laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen Silizium-N-Kanal-MOSFET (U-MOS VIII-H) von Toshiba, der für hocheffiziente DC-DC-Wandler und Spannungsregler entwickelt wurde.