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TPH4R008NH,L1Q(M KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

TPH4R008NH,L1Q(M product

TPH4R008NH,L1Q(M

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET80VSOP Advance

Der TPH4R008NH ist ein leistungsstarker 80V N-Kanal-MOSFET im kompakten SOP Advance-Gehäuse, optimiert für hocheffiziente Stromwandlung und Motorsteuerung.

Ideal für

  • DC-DC-Wandler
  • Motorsteuerungen
  • Schaltspannungsregler

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die extrem niedrige Gate-Ansteuerspannungen unter 2V erfordern.

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen und ESD-Handhabungsverfahren.

Wichtige Specs

Vdss
80 V
Id
60 A
Rds(on)
3,3 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungMotorsteuerung

Datenblatt

4d23b98017f2791282a92a5e778f01f8_1912111437_TOSHIBA-TPH4R008NH-L1Q-M_C396039.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für TPH4R008NH,L1Q(M laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen Silizium-N-Kanal-MOSFET (U-MOS VIII-H) von Toshiba, der für Hochgeschwindigkeits-Schaltanwendungen entwickelt wurde.