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TPM1012ER3 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

TPM1012ER3 product

TPM1012ER3

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFETSOT-52320V

Der TPM1012ER3 ist ein N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET für 20V in einem kompakten SOT-523-Gehäuse, ideal für Schaltanwendungen und Batteriemanagement.

Ideal für

  • Tragbare Elektronik
  • Pegelwandlung
  • Batteriemanagement

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungs- oder Hochspannungsanwendungen

Vor der Verwendung prüfen

  • Kompatibilität der Gate-Schwellenspannung

Wichtige Specs

Vdss
20V
Id
0,8A
Rds(on)
250mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Tragbare ElektronikEnergiemanagement

Datenblatt

ceb6caa73538698b7d02c8cfcd6af1ec_2105241640_TECH-PUBLIC-TPM1012ER3_C2830303.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für TPM1012ER3 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET für Niederspannungs-Schaltanwendungen.