TPM2008EP3-A Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | TECH PUBLIC | PartGenie

KI-Zusammenfassung

TPM2008EP3-A product

Der TPM2008EP3-A ist ein kompakter N-Kanal-MOSFET im DFN1006-3L-Gehäuse, optimiert für Schaltanwendungen mit niedriger Spannung und geringem Stromverbrauch.

Ideal für

Batteriemanagement
Logikpegel-Verschiebung
Stromschaltung in tragbaren Geräten

Vermeiden, wenn

Hochleistungsanwendungen über 100mW Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

Wärmemanagement bei hoher Packungsdichte

Wichtige Specs

VDS: 20 V
ID: 0,7 A
RDS(on): 130 mΩ (typ)

Compliance & Umwelt

RoHS: -
REACH: -
MSL: -
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

Tragbare ElektronikEnergiemanagement

Datenblatt

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800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für TPM2008EP3-A laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der für das Schalten auf Logikpegel in platzkritischen tragbaren Geräten entwickelt wurde.