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TPN1600ANH,L1Q KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

TPN1600ANH,L1Q product

TPN1600ANH,L1Q

FETs

N-Kanal100VMOSFET

Der TPN1600ANH ist ein leistungsstarker 100V N-Kanal-MOSFET im kompakten TSON Advance-Gehäuse, ideal für effizientes Schalten.

Ideal für

  • DC-DC-Wandler
  • Motorsteuerung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die einen kontinuierlichen Strom von mehr als 17A erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsgrenzen auf der Leiterplatte

Wichtige Specs

Vdss
100 V
Id
17 A
Rds(on)
13 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS Compliant
REACH
-
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Anwendung

PowerMotor

Datenblatt

94c44ca4deb8f81adc01b096dd94e6d2_2312272356_TOSHIBA-TPN1600ANH-L1Q_C7401649.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für TPN1600ANH,L1Q laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen Silizium-N-Kanal-MOSFET (U-MOS VIII-H) von Toshiba, der für schnelles Schalten und Energiemanagement optimiert ist.