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TPNTA4153NT1G KI-Analyse:
Spezifikationen, Anwendungen und Alternativen

KI-Zusammenfassung

TPNTA4153NT1G product

TPNTA4153NT1G

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFETSOT-523ESD-geschützt

Der TPNTA4153NT1G ist ein 20V, 0,8A N-Kanal-MOSFET im SOT-523-Gehäuse mit integriertem ESD-Schutz für tragbare Elektronik.

Ideal für

  • Batteriemanagement in tragbaren Geräten
  • Logikpegel-Verschiebung
  • Kleinsignal-Leistungsschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Strömen über 0,8A
  • Systeme mit Spannungen über 20V

Vor der Verwendung prüfen

  • Kompatibilität der Gate-Ansteuerspannung
  • Anforderungen an die Wärmeableitung

Wichtige Specs

Vds
20V
Id
0,8A
Rds(on)
250mΩ (max bei 4,5V)

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Tragbare ElektronikEnergiemanagement

Datenblatt

e5301af31042364fe963ad48cbf35791_2108150330_TECH-PUBLIC-TPNTA4153NT1G_C2875154.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

EDA-Symbol, PCB-Footprint und 3D-Modell für dieses Bauteil. Unterstützte Tools: Altium, KiCad, Eagle und mehr.

EDA Symbol
Schematic symbol for your EDA tool
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PCB Footprint
Land pattern for PCB layout
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3D Model
STEP file for mechanical design
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Anmeldung erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET für Niederspannungs-Schaltanwendungen, der speziell für tragbare Geräte optimiert wurde.