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UJ3C120080K3S KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

UJ3C120080K3S product

UJ3C120080K3S

Transistors

SiC-FET1200VKaskodeLeistungsschalter

Der UJ3C120080K3S ist ein 1200V, 80mΩ SiC-FET im TO-247-3L-Gehäuse, der als hocheffizienter Ersatz für herkömmliche Leistungsschalter konzipiert ist.

Ideal für

  • EV-Ladetechnik
  • PV-Wechselrichter
  • Motorantriebe

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die Gate-Ansteuerspannungen außerhalb des spezifizierten Bereichs erfordern.

Vor der Verwendung prüfen

  • Parasitäre Effekte im PCB-Layout und Wahl des Gate-Widerstands.

Wichtige Specs

VDS
1200 V
RDS(on)
80 mΩ
ID
33 A
TJ,max
175 °C

Compliance & Umwelt

RoHS
Y
REACH
-
MSL
-
ECCN
EAR99
HTSUS
8541290095.0

Anwendung

LeistungselektronikIndustrie

Datenblatt

f5484bef08d56bf2b3134e27f488b33e_2312051100_Qorvo-UJ3C120080K3S_C6731596.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für UJ3C120080K3S laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um ein normally-off SiC-FET-Bauteil in Kaskodenschaltung, das einen SiC-JFET und einen Si-MOSFET kombiniert, um Hochspannungssperrung mit Standard-Gate-Ansteuerung zu ermöglichen.