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UMD3NQ KI-Analyse:
Spezifikationen, Anwendungen und Alternativen

KI-Zusammenfassung

UMD3NQ product

UMD3NQ

Transistors - Bipolar (BJT) - Pre-Biased

DigitaltransistorVorgespanntDualSOT-363

Der UMD3NQ ist ein dualer NPN+PNP-Digitaltransistor mit integrierten Bias-Widerständen im SOT-363-Gehäuse, der für Inverter- und Schaltanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Inverterschaltungen
  • Digitale Schaltanwendungen
  • Platzsparende Designs

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen über 100mA

Vor der Verwendung prüfen

  • Eingangsspannungspegel und Widerstandswerte

Wichtige Specs

Konfiguration
NPN + PNP
VCEO
50 V
IC
100 mA
R1
10 kΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
1
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Digitale SystemeAutomobilelektronik

Datenblatt

56a0613ad50398239e7de9e857c4009d_2401111811_Yangzhou-Yangjie-Elec-Tech-UMD3NQ_C20605419.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

EDA-Symbol, PCB-Footprint und 3D-Modell für dieses Bauteil. Unterstützte Tools: Altium, KiCad, Eagle und mehr.

EDA Symbol
Schematic symbol for your EDA tool
Dateien holen
PCB Footprint
Land pattern for PCB layout
Dateien holen
3D Model
STEP file for mechanical design
Dateien holen

Anmeldung erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen Digitaltransistor (NPN+PNP) mit eingebauten Bias-Widerständen in einem kompakten SOT-363-Gehäuse.