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UMH11NQ KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

UMH11NQ product

UMH11NQ

Transistors - Bipolar (BJT) - Pre-Biased

Dual NPNPre-biasedSOT-363AEC-Q101

Der UMH11NQ ist ein dualer NPN-Digitaltransistor mit integrierten Widerständen im SOT-363-Gehäuse, ideal für platzsparende Schaltanwendungen.

Ideal für

  • Digitale Schaltungen
  • Inverter
  • Automobilanwendungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen über 100mA

Vor der Verwendung prüfen

  • Eingangsspannungsschwellen

Wichtige Specs

Konfiguration
Dual NPN
Vce(max)
50 V
Ic(max)
100 mA
R1
10 kΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
1
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

AutomobilDigitale Systeme

Datenblatt

fb068e606c9bbc33ae35fd903968d1ba_2401111811_Yangzhou-Yangjie-Elec-Tech-UMH11NQ_C20605425.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für UMH11NQ laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein dualer NPN-Digitaltransistor mit eingebauten Bias-Widerständen in einem SOT-363-Gehäuse.