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UMH4NTN KI-Analyse:
Spezifikationen, Anwendungen und Alternativen

KI-Zusammenfassung

UMH4NTN product

UMH4NTN

Bipolar (BJT)

Dual NPNDigitaltransistorPre-Biased

Der UMH4NTN ist ein dualer NPN-Digitaltransistor mit integrierten Bias-Widerständen, optimiert für platzsparende Schalt- und Treiberanwendungen.

Ideal für

  • Platzsparende Schaltungen
  • Digitale Logik-Schnittstellen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen über 100mA oder 150mW Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Grenzwerte

Wichtige Specs

VCEO
50 V
IC(MAX)
100 mA
R1
10 kΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
EAR99
HTSUS
8541290095.0

Anwendung

Allgemeines SchaltenTreiberschaltungen

Datenblatt

poYBAGLgmkqASlWnAAddAuxFRQ0026.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

EDA-Symbol, PCB-Footprint und 3D-Modell für dieses Bauteil. Unterstützte Tools: Altium, KiCad, Eagle und mehr.

EDA Symbol
Schematic symbol for your EDA tool
Dateien holen
PCB Footprint
Land pattern for PCB layout
Dateien holen
3D Model
STEP file for mechanical design
Dateien holen

Anmeldung erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein dualer NPN-Transistor mit integrierten 10kΩ-Widerständen im kompakten SOT-363-Gehäuse.