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UMH9N KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

UMH9N product

UMH9N

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

DigitaltransistorNPNSOT-363

Der UMH9N ist ein dualer NPN-Digitaltransistor mit integrierten Bias-Widerständen, der für platzsparende Inverterschaltungen im SOT-363-Gehäuse optimiert ist.

Ideal für

  • Inverterschaltungen
  • Digitale Schaltsignale

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen über 150mW Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Eingangsspannungspegel
  • Kompatibilität der Bias-Widerstände

Wichtige Specs

Transistortyp
Dual NPN
Max. Versorgungsspannung
50 V
Ausgangsstrom
100 mA
Gehäuse
SOT-363

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
-
ECCN
EAR99
HTSUS
-

Anwendung

Inverterschaltungen

Datenblatt

40d682d369c3150f6f8c4ef83388346a_2201131400_Yangzhou-Yangjie-Elec-Tech-UMH9N_C968430.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für UMH9N laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der UMH9N ist ein dualer NPN-Digitaltransistor (BJT) mit integrierten Bias-Widerständen, der als Inverter ohne externe Eingangswiderstände fungieren kann.