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VLS201612ET-2R2M KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

VLS201612ET-2R2M product

VLS201612ET-2R2M

Chokes

LeistungsinduktivitätAbgeschirmtSMD

Der VLS201612ET-2R2M ist eine abgeschirmte Leistungsinduktivität von TDK, die für platzkritische DC-DC-Wandleranwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • DC-DC-Wandler
  • Tragbare Geräte

Vermeiden, wenn

  • Hochstromanwendungen, die den Sättigungsstrom überschreiten

Vor der Verwendung prüfen

  • Sättigungsstrom vs. Spitzenlast

Wichtige Specs

Induktivität
2,2 µH
Toleranz
±20%
Gehäuse
2016

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
Level 1
ECCN
EAR99
HTSUS
8504.50.8000

Anwendung

Netzteile

Datenblatt

5e1f7a3ec0bebaa3550a0bec5bf51ab1_inductor_general_commercial_en.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für VLS201612ET-2R2M laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um eine abgeschirmte 2,2 µH Leistungsinduktivität im 2016 SMD-Gehäuse.