Es handelt sich um eine magnetisch abgeschirmte, gewickelte Leistungsinduktivität von TDK mit 10 µH Induktivität und einem kompakten Gehäuse von 2,0 x 1,6 x 1,2 mm.
VLS201612HBX-100M-1 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD
KI-Zusammenfassung
Wichtige Specs
- Induktivität
- 10 µH
- Nennstrom
- 0,79 A
- Gleichstromwiderstand
- 0,756 Ω
- Gehäuse
- 2016
Compliance & Umwelt
- RoHS
- ROHS3 Compliant
- REACH
- Compliant
- MSL
- -
- ECCN
- -
- HTSUS
- -
Anwendung
EnergieverwaltungUnterhaltungselektronik
Datenblatt
CAD-Modelle
ECAD-Modelle für VLS201612HBX-100M-1 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.
EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bezugsquellen
Real-time and catalog pricing from verified distributors
Alternative Bauteile
Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.
