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VNB10N07TR-E KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

VNB10N07TR-E product

VNB10N07TR-E

Power Distribution Switches

MOSFETOMNIFETGeschützt

Der VNB10N07 ist ein vollständig geschützter Leistungs-MOSFET (OMNIFET), der für den robusten Einsatz in anspruchsvollen Umgebungen entwickelt wurde.

Ideal für

  • Ansteuerung induktiver Lasten
  • Schalten in rauen Umgebungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Schaltfrequenzen über 50 kHz

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungskapazität der Leiterplatte

Wichtige Specs

Vdss
70 V
Id
10 A
RDS(on)
0.1 Ohm

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungsschaltungAutomobil

Datenblatt

VNB10N07TR-E-STMicroelectronics-datasheet-44059866.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für VNB10N07TR-E laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen monolithischen, vollständig geschützten Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics, der als Ersatz für Standard-MOSFETs in Anwendungen von DC bis 50 kHz dient.