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VND10N06TR-E KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

VND10N06TR-E product

VND10N06TR-E

Power Distribution Switches

Leistungs-MOSFETOMNIFETVollständig geschützt

Der VND10N06TR-E ist ein vollständig geschützter OMNIFET-Leistungs-MOSFET, der für robuste Anwendungen in rauen Umgebungen entwickelt wurde.

Ideal für

  • Automobilanwendungen
  • Raue Industrieumgebungen
  • DC bis 50kHz Schaltanwendungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die Ströme deutlich über 10A erfordern
  • Hochfrequenzanwendungen über 50kHz

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen während der Strombegrenzung

Wichtige Specs

VDS
60 V
RDS(on)
0.3 Ohm
Ilim
10 A

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

AutomobilIndustrieLeistung

Datenblatt

VND10N06TR-E-STMicroelectronics-datasheet-14157041.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für VND10N06TR-E laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen monolithischen, vollständig geschützten Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics, der die VIPower M0-2-Technologie nutzt.